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Semiconductors

半導體 SCIE

Semiconductors

一般,3-6周 審稿時間

4區中科院分區

Q4JCR分區

0.6影響因子

1063-7826

1090-6479

SEMICONDUCTORS+

RUSSIA

物理 - 物理:凝聚態物理

1997

37

Monthly

English

90

0.28...

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期刊簡介

半導體(Semiconductors)是一本由Pleiades Publishing出版的一本物理-物理:凝聚態物理學術刊物,主要報道物理-物理:凝聚態物理相關領域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創刊于1997年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區等級:Q4,2023年發布的影響因子為0.6,CiteScore指數1.5,SJR指數0.173。本刊非開放獲取期刊。

發表前蘇聯國家半導體研究領域最重要的著作。涵蓋半導體理論、半導體中的傳輸現象、半導體的光學、磁光和電光學、半導體激光器和半導體表面物理學。該期刊設有廣泛的書評部分。

中科院分區信息

半導體2023年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
半導體2022年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
半導體2021年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
半導體2021年12月基礎版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
半導體2021年12月升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
半導體2020年12月舊的升級版
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(又稱分區表、分區數據)是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區表中,主要參考3年平均IF作為學術影響力,最終每個分區的期刊累積學術影響力是相同的,各區的期刊數量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區信息

Semiconductors(2023-2024年最新版數據)
按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79
7%
按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79
6.96%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數加以統計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當年IF,最終每個分區的期刊數量是均分的。

期刊數據統計

1、Cite Score(2024年最新版)
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284
22%
大類:Materials Science 小類:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434
21%
大類:Materials Science 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224
21%
名詞解釋:

CiteScore:該指標由Elsevier于2016年提出,指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScorer的計算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發表的文章在2022年獲得的被引次數,除以該期刊2019年、2020年和2021發表并收錄于Scopus中的文章數量總和。

2、綜合數據
3、本刊綜合數據對比及走勢

文章引用數據

文章名稱 引用次數
  • Experimental Observation of Dyakonov Pla...

    9
  • Thick -Ga2O3 Layers on Sapphire Substrat...

    7
  • Crystallization of Amorphous Germanium F...

    6
  • Behavioral Features of MIS Memristors wi...

    5
  • Heterostructures of Single-Wavelength an...

    5
  • Microlens-Enhanced Substrate Patterning ...

    5
  • Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetect...

    5
  • Microstructure and Optical Bandgap of Co...

    5
  • Discovery of III-V Semiconductors: Physi...

    5
  • Ultrasonic-Assisted Exfoliation of Graph...

    5

期刊被引用數據

期刊名稱 引用次數
  • SEMICONDUCTORS+

    528
  • TECH PHYS LETT+

    87
  • J APPL PHYS

    55
  • PHYS SOLID STATE+

    54
  • TECH PHYS+

    45
  • SEMICOND SCI TECH

    44
  • MATER RES EXPRESS

    38
  • OPT SPECTROSC+

    37
  • PHYS REV B

    37
  • QUANTUM ELECTRON+

    34

期刊引用數據

期刊名稱 引用次數
  • SEMICONDUCTORS+

    528
  • PHYS REV B

    482
  • APPL PHYS LETT

    460
  • J APPL PHYS

    363
  • PHYS REV LETT

    161
  • PHYS SOLID STATE+

    144
  • J CRYST GROWTH

    93
  • NANO LETT

    85
  • TECH PHYS LETT+

    81
  • THIN SOLID FILMS

    76

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