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Microelectronics Reliability

微電子可靠性 SCIE

Microelectronics Reliability

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4區(qū)中科院分區(qū)

Q3JCR分區(qū)

1.6影響因子

0026-2714

1872-941X

MICROELECTRON RELIAB

ENGLAND

工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

1964

80

Monthly

English

310

0.12...

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期刊簡(jiǎn)介

微電子可靠性(Microelectronics Reliability)是一本由Elsevier Ltd出版的一本工程技術(shù)-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于1964年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級(jí):Q3,2023年發(fā)布的影響因子為1.6,CiteScore指數(shù)3.3,SJR指數(shù)0.394。本刊非開放獲取期刊。

《微電子可靠性》致力于傳播微電子設(shè)備、電路和系統(tǒng)可靠性的最新研究成果和相關(guān)信息,涵蓋材料、工藝和制造、設(shè)計(jì)、測(cè)試和操作等各個(gè)方面。該期刊涵蓋以下主題:測(cè)量、理解和分析;評(píng)估和預(yù)測(cè);建模和仿真;方法和緩解。將可靠性與微電子工程其他重要領(lǐng)域(如設(shè)計(jì)、制造、集成、測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)操作)相結(jié)合的論文也將受到歡迎,并且特別鼓勵(lì)報(bào)告該領(lǐng)域和特定應(yīng)用領(lǐng)域案例研究的實(shí)踐論文。

大多數(shù)被接受的論文將以研究論文的形式發(fā)表,描述重大進(jìn)展和已完成的工作。回顧普遍感興趣的重要發(fā)展主題的論文可能會(huì)被接受作為評(píng)論論文發(fā)表。更初步的緊急通訊和關(guān)于當(dāng)前感興趣的已完成實(shí)踐工作的簡(jiǎn)短報(bào)告可能會(huì)被考慮作為研究筆記發(fā)表。所有投稿均需經(jīng)過該領(lǐng)域頂尖專家的同行評(píng)審。

中科院分區(qū)信息

微電子可靠性2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Microelectronics Reliability(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352
32.2%
學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140
19.6%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179
27.1%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354
23.31%
學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140
18.93%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179
22.07%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡(jiǎn)稱JCR)。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207
60%
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797
50%
大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224
47%
大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434
47%
大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132
44%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284
43%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對(duì)比及走勢(shì)

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Comphy - A compact-physics framework for...

    25
  • An improved unscented particle filter ap...

    25
  • Threshold voltage peculiarities and bias...

    21
  • Identification of oxide defects in semic...

    16
  • Controversial issues in negative bias te...

    13
  • An Android mutation malware detection ba...

    13
  • A review of NBTI mechanisms and models

    12
  • New dynamic electro-thermo-optical model...

    12
  • Measurement considerations for evaluatin...

    11
  • Border traps and bias-temperature instab...

    10

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T ELECTRON DEV

    235
  • J MATER SCI-MATER EL

    205
  • IEEE ACCESS

    197
  • IEEE T COMP PACK MAN

    120
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • J ELECTRON MATER

    103
  • J ALLOY COMPD

    101
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    100
  • ENERGIES

    87

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T NUCL SCI

    360
  • IEEE T ELECTRON DEV

    270
  • J APPL PHYS

    142
  • APPL PHYS LETT

    135
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    101
  • IEEE T COMP PACK MAN

    98
  • J ELECTRON MATER

    93
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    88

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